+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Produktuak
Hasiera > Produktuak > 1550nm 5W uhin-luzera bakarreko DFB Erbioz dopatutako zuntz laser modulua

1550nm 5W uhin-luzera bakarreko DFB Erbioz dopatutako zuntz laser modulua Fabrikatzaileak

Gure fabrikak zuntz laser moduluak, laser modulu ultraazkarrak, potentzia handiko diodo laserrak eskaintzen ditu. Gure enpresak atzerriko prozesuen teknologia hartzen du, produkzio- eta proba-ekipamendu aurreratuak ditu, gailuak akoplatzeko paketean, moduluen diseinuak teknologia eta kostuen kontrolaren abantailak ditu, baita kalitatea bermatzeko sistema perfektua ere, bezeroari errendimendu handia eskaintzea bermatu dezake. , Kalitatezko produktu optoelektroniko fidagarriak.

Lotutako produktuak

Produktu beroak

  • 300um InGaAs fotodiodo txipa

    300um InGaAs fotodiodo txipa

    300um InGaAs Photodiode Chip-ek 900nm-tik 1700nm-ra erantzun bikaina eskaintzen du, telekomunikazioetarako eta IR gertu detektatzeko ezin hobea. Fotodiodoa ezin hobea da banda zabalera handiko eta lerrokatze aktiborako aplikazioetarako.
  • 1310nm 1550nm L-banda polarizazioa isolatzaile optiko independentea

    1310nm 1550nm L-banda polarizazioa isolatzaile optiko independentea

    BoxOptronics 1310nm 1550nm L-Band Polarization independent Optical Isolator zuntzekin akoplatutako lineako polarizaziotik independentea den isolatzaile bat da, zuntz isolatzaileek argi-iturriak babesten dituzte intentsitate zarata eta kalte optikoa eragin dezaketen atzeko isla eta seinaleetatik. Isolatzaile optikoek, Faraday isolatzaile izenez ere ezagunak, gailu magnetooptikoak dira, lehentasunez argia aurrerako norabidean transmititzen duten bitartean, alderantzizko norabidean hedatzen den argia xurgatzen edo desplazatzen duten bitartean. Oso erabilia da islaren aurka babesteko, neurketa batzuk honda ditzakete edo laserrak kaltetu ditzakete. eta anplifikadoreak. 1310nm 1550nm L-banda polarizazio-isolatzaile optiko independente hau etapa bakarrekoa edo bikoitza/bikoa izan daiteke hedatzen ari den argiaren isolamendu optikoaren mailaren arabera.
  • Potentzia handiko Pm Erbioz dopatutako zuntz anplifikadorearen modulua

    Potentzia handiko Pm Erbioz dopatutako zuntz anplifikadorearen modulua

    Potentzia handiko Pm Erbioz dopatutako zuntz anplifikadorearen moduluak mahaigaineko edo rack motako ontziak eskain ditzake bezeroen beharren arabera, eta pertsonalizatutako parametroak onartu.
  • 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip alderantzizko tentsio bat aplikatuz sortutako barne irabazia duen fotodiodoa da. Fotodiodoak baino seinale-zarata erlazioa (SNR) handiagoa dute, eta denbora-erantzun azkarra, korronte ilun txikia eta sentikortasun handia dute. Erantzun espektrala 900 - 1650 nm artekoa izaten da.
  • 1430nm Coaxail Pigtail Laser Diodoa

    1430nm Coaxail Pigtail Laser Diodoa

    1430nm Coaxail Pigtail Laser Diodoak InGaAs monitorearen fotodiodoa eta isolatzaile optiko bat ditu paketearen barruan. Zuntzetik irteteko potentzia > 2mW, laser diodo hau sare optikoetan aplikazioetarako egokia da, hala nola komunikazio mugikorren sistemak eta CATV sistemetan.
  • 1568 ~ 1611NM L + Band banda banda zabaleko argi iturria, 200mw arte

    1568 ~ 1611NM L + Band banda banda zabaleko argi iturria, 200mw arte

    L + Banda 1568 ~ 1611NM uhin-luzera guztiz estaltzen du, espektroak 40nm gainditzen ditu eta espektroaren lautada 2,5DB baino hobea da. Modu bakarreko zuntz irteerako potentzia 200mw baino handiagoa da, zuntz optikoko komunikazioa, zuntz optikoko sentsazioa bezalako aplikazioetarako egokia da.
  • Lotutako bloga
  • Iritziak

  • zein da zuntz akoplatutako laser diodoaren abantaila

    Zuntz-laserrak lur arraroekin dopatutako beira-zuntzak erabiltzen dituzten laserrak aipatzen ditu irabazi-medio gisa. Zuntz laserrak zuntz-anplifikadoreetan oinarrituta garatu daitezke: potentzia handiko dentsitatea erraz sortzen da zuntzean ponparen argiaren eraginez, eta, ondorioz, laser lanerako materiala lortzen da. Energia-maila "zenbaki-bertsioa" laser-oszilazio-irteera sor dezake feedback positiboaren begizta (barrunbe erresonantea osatu) behar bezala gehitzen denean.

  • Laser berdeen errendimendu optikoa asko hobetzen da

    mendeko gizateriaren asmakizun handienetako bat dela kontsideratzen da laserra, eta haren itxurak detekzio, komunikazio, prozesatze, pantaila eta beste alor batzuen aurrerapena biziki sustatu du. Laser erdieroaleak lehenago heltzen diren eta azkarrago aurrera egiten duten laser klase bat dira. Tamaina txikia, eraginkortasun handia, kostu baxua eta bizitza luzearen ezaugarriak dituzte, beraz, oso erabiliak dira. Hasierako urteetan, GaAsInP sistemetan oinarritutako laser infragorriek jarri zuten informazioaren iraultzaren oinarria.

  • Ase koherentzia baxuko argi iturria

    Zuntz optikoko giroskopioak: ASE argi iturrien koherentzia baxuak efektu ez linealak ezabatu ditzake, nabigazio inertzialeko sistemen zehaztasuna eta egonkortasuna hobetuz. Uhin-luzera multiplexing (WDM) Gailuaren probak: Banda zabaleko argi iturriak Komunikazio banda anitz estaltzen dituzte, kanal anitzeko txertatze galera, isolamendua eta osnr (seinale optikoko zarataren erlazioa) aldi berean probatzen laguntzeko.

  • Furukawa Electric eta Fujitsu-k elkarlanean ari dira hurrengo belaunaldiko komunikazio optikoko gailu integratuak garatzeko

    Furukawa Electric eta Fujitsu Optical Devices (FOC) hurrengo belaunaldiko gaitasun handiko komunikazio optikoetarako ekipamendu integratuen garapenean lankidetzan aritzea adostu dute. Bi konpainiek adierazi dutenez, dagozkien abantailak erabiliko dituzte hurrengo belaunaldiko komunikazio sareetarako gaitasun handiko, trinko eta potentzia baxuko gailuak garatzeko, Asiako eskualdeko irtenbideen eskaerari erantzuteko.

  • Lau uhinen nahasketa WDM sisteman

    Komunikazioetan, Four Wave Mixing (FWM) zuntz medioaren hirugarren ordenako polarizazio zati errealak eragindako argi-uhinen arteko akoplamendu efektua da. Uhin-luzera desberdinetako bizpahiru uhin argi-uhinek beste uhin-luzera batzuetan duten elkarrekintzaren ondorioz sortzen da. Nahasketa-produktuak deiturikoak edo albo-bandetan argi-uhin berriak ekoiztea prozesu ez-lineal parametrikoa da. Lau uhinen nahastearen arrazoia argi intzidentearen uhin-luzera jakin bateko argiak zuntz optikoaren errefrakzio-indizea aldatuko duela da, eta argi-uhinaren fasea maiztasun ezberdinetan aldatuko dela, uhin-luzera berri bat sortuz.

  • Nola probatu osagai optikoen transmitantzia eta islapena?

    Argi-fluxua argi-fluxua gainazal argiztatutik edo ertainaren gainazal intzidentetik beste aldera ateratzen denean, objektuaren bidez proiektatu eta transmititzen den energia erradiatzailearen eta objektuaren gainean proiektatzen den energia erradiante osoaren arteko erlazioari objektuaren transmisioa deritzo. . Objektu batek islatutako energia erradiantearen portzentajeari irradiazio-energia totalari erreflektibitatea deitzen zaio.

Bidali kontsulta

Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Txinako zuntz optikoko moduluak, zuntz akoplatutako laser fabrikatzaileak, laser osagaien hornitzaileak Eskubide guztiak erreserbatuta.