50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip alderantzizko tentsio bat aplikatuz sortutako barne irabazia duen fotodiodoa da. Fotodiodoak baino seinale-zarata erlazioa (SNR) handiagoa dute, eta denbora-erantzun azkarra, korronte ilun txikia eta sentikortasun handia dute. Erantzun espektrala 900 - 1650 nm artekoa izaten da.
1550nm 5W uhin-luzera bakarreko DFB Erbioz dopatutako zuntz laser modulu honek DFB laser txipa eta potentzia handiko irabazien bide optikoko modulua hartzen ditu modu bakarreko zuntzaren potentzia handiko irteeraz jabetzeko. Profesionalki diseinatutako laser gidatzeko eta tenperatura kontrolatzeko zirkuituak laserren funtzionamendu segurua eta egonkorra bermatzen du.
BoxOptronics Dispertsioaren Konpentsazioa Polarizazioa Mantentzea Erbiozko Dopatutako Zuntzak doping eta polarizazioa mantentzeko diseinua hartzen du, batez ere 1.5μm zuntz laserrako erabiltzen dena. Zuntzaren nukleo bereziak eta errefrakzio indizearen profilaren diseinuak dispertsio normal handia eta polarizazioa mantentzeko ezaugarri bikainak ditu. Zuntzak dopin-kontzentrazio handiagoa du, eta horrek zuntzaren luzera murrizten du, eta horrela efektu ez-linealen eragina murrizten du. Aldi berean, zuntz optikoak splicing-galera baxua eta tolestura-erresistentzia handia erakusten ditu. Koherentzia ona du.
Potentzia handiko C-banda 5W 37dBm EDFA zuntz optikoko anplifikadoreak (EYDFA-HP) estalitako erbioz dopatutako zuntz anplifikadoreen teknologian oinarritzen da, ontziratze optikoko prozesu berezia erabiliz, potentzia handiko laser babesaren diseinu fidagarri batekin batera, lortu potentzia handiko laser irteera 1540 ~ 1565nm uhin-luzera tartean. Potentzia handiko eta zarata baxuarekin, zuntz optikoko komunikazioan, Lidar eta abarretan erabil daiteke.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip ilun txikia, kapazitate baxua eta elur-jausi irabazi handia izateko bereziki diseinatuta dago. Txip hau erabiliz sentsibilitate handiko hargailu optiko bat lor daiteke.
BoxOptronics Erradiozko Dopatutako Zuntzak Erradio Erresistenteak erradiazioen aurkako ezaugarri onak ditu, eta energia handiko ioi-erradiazioen eragina eraginkortasunez murrizten du erbioz dopatutako zuntzetan. Zuntzak koherentzia ona du. 980 nm edo 1480 nm ponpa daiteke eta komunikazio zuntz optikoarekin galera baxuko konexioa lor dezake.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Txinako zuntz optikoko moduluak, zuntz akoplatutako laser fabrikatzaileak, laser osagaien hornitzaileak Eskubide guztiak erreserbatuta.
