Argi urdineko erdieroalearen laserra egitura eta lan printzipioa

Eskualde aktiboaren materialaren arabera, Laser erdi-eroalearen material erdieroalearen erdiko materialaren zabalera aldatu egiten da, beraz, erdieroale laserrak kolore desberdinetako argia eman dezake. Laser urdineko argi urdinaren material aktiboa Gan edo Ingan da. GANen oinarritutako laser tipiko baten egitura 1. irudian agertzen da, n-elektrodoa, n-motako confinement geruza, N-motako hggan beheko uhin-geruza (MQW). Geruza, P-motako gan geruza eta P-elektrodoa

Eskualde aktiboen (MQW) kuantiko anitzeko (MQW) materialen errefrakzio indizea da, eta eskualde aktiboaren bi aldeetako materialen errefrakzio indizeak joera murrizten du. Materialaren errefrakzio indizearen banaketaren bidez Z norabidean, erdian eta beheko aldean, zonako argi-eremua Zerrendako argi-eremua goiko eta beheko uhin-geruzaren artean mugatu daiteke. Y-en norabidean, laserraren bi aldeetako P bitarteko geruzaren zati bat grabaketa kentzen da eta silizio dioxidoaren geruza mehea metatzen da (SIO2), azkenean gailur-egitura osatzen dute. Silicon dioxidoaren eta airearen errefrakzio indizea P bitarteko geruzarena baino txikiagoa da, eta, beraz, Y-ren norabidean errefrakzio indizea erdiko eta baxua da bi aldeetan, eta arina eremua gailurretik mugatzen da. Y eta Z argien eraginak argi eremuan, YZ hegazkinaren area-eremuak banaketa eliptikoa aurkezten du. X norabidean, aurrealdeko eta atzeko barrunbearen gainazalak zatiki mekanikoen bidez edo grabaketa sor daitezke, eta aurreko eta atzeko barrunbearen gainazalen isleria egokitu daiteke film dielektrikoa lurrunduz. Normalean, aurreko barrunbearen azaleraren isleria atzeko barrunbearen gainazala baino txikiagoa da, laserra aurreko barrunbearen azaletik igortzen dela ziurtatzeko.