200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip
  • 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip ilun txikia, kapazitate baxua eta elur-jausi irabazi handia izateko bereziki diseinatuta dago. Txip hau erabiliz sentsibilitate handiko hargailu optiko bat lor daiteke.

Bidali kontsulta

Balorazioa: 5.0
(Balorazio kopurua: 1)

Produktuaren Deskribapena

1. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Txiparen laburpena

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip ilun txikia, kapazitate baxua eta elur-jausi irabazi handia izateko bereziki diseinatuta dago. Txip hau erabiliz sentsibilitate handiko hargailu optikoa lor daiteke.

2. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip-aren sarrera

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip ilun txikia, kapazitate baxua eta elur-jausi irabazi handia izateko bereziki diseinatuta dago. Txip hau erabiliz sentsibilitate handiko hargailu optiko bat lor daiteke.

3. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip-en ezaugarriak

Detektatu barrutia 900nm-1650nm;

Abiadura handia;

Erantzunkortasun handia;

Kapazitate baxua;

Korronte ilun baxua;

Goiko egitura lau argiztatua.

4. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip aplikazioa

Jarraipena;

Zuntz optikoko tresnak;

Datu Komunikazioak.

5. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip-en gehienezko balorazio absolutuak

Parametroa Ikurra Balioa Unitatea
Aurrerako korronte maximoa - 10 mA
Tentsio maximoa Hornidura - VBR V
Funtzionamendu-tenperatura Topr -40tik +85era ℃
Biltegiratze-tenperatura Tstg -55etik +125era ℃

6. Ezaugarri elektrooptikoak (T=25℃) 200um InGaAs Avalanche Photodiode Txiparen ezaugarriak

Parametroa Ikurra Baldintza Min. tip. Max. Unitatea
Uhin-luzera tartea λ   900 - 1650 nm
Matxura Tentsioa VBR Id = 10uA 40 - 60 V
VBRren tenperatura-koefizientea - - - 0.12 - V/℃
Erantzunkortasuna R VR =VBR -4V 9 10 - A/W
Korronte iluna ID VBR -4V - 6.0 30 nA
Kapazitatea C VR =38V, f=1MHz - 1.6 - pF
Band-zabalera Bw - - 2.0 - GHz

7. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip-en dimentsio-parametroa

Parametroa Ikurra Balioa Unitatea
Eremu aktiboaren diametroa D 200 um
Lotura-padaren diametroa - 60 um
Trokelaren tamaina - 350x350 um
Trokelaren lodiera t 180±20 um

8. 200um InGaAs Avalanche Photodiode Txipa entregatu, bidaltzea eta zerbitzatzea

Produktu guztiak probatu dira bidali aurretik;

Produktu guztiek 1-3 urteko bermea dute. (Kalitatearen berme-epea mantentze-zerbitzuaren kuota egokia kobratzen hasi ondoren).

Zure negozioa eskertzen dugu eta berehalako 7 eguneko itzultze-politika eskaintzen dugu. (Elementuak jaso eta 7 egun);

Gure dendatik erosten dituzun elementuak kalitate hobekoak ez badira, hau da, ez badute elektronikoki fabrikatzaileen zehaztapenekin funtzionatzen, itzul iezaguzu ordezkatzeko edo itzultzeko;

Elementuak akatsak badira, jakinarazi iezaguzu entrega eta 3 eguneko epean;

Edozein elementu jatorrizko egoeran itzuli behar da itzulketa edo ordezkapena izateko;

Erosleak sortutako bidalketa-kostu guztien ardura da.

8. Ohiko galderak

G: Zein da nahi zenukeen eremu aktiboa?

A: 50um 200um 500um eremu aktiboa InGaAs Avalanche Photodiode Chip dugu.

G: Zein da konektorearen baldintza?

A: Box Optronics zure eskakizunen arabera pertsonaliza daiteke.

Lotutako Kategoria

Bidali kontsulta

Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
Balorazioa:
5.0
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu. Pribatutasun politika
Baztertu Onartu